索尼RX100 IV、RX10 II与堆栈式CMOS

发布日期：2015-06-13

在发布A7R II的同一天，索尼还发布了两款高端不可换镜头数码相机：RX100 Mark IV与RX10 II。这两者的更新有一个共同的特点或者说卖点：采用了堆栈式CMOS（stacked CMOS）替代之前的背照式CMOS。

根据索尼的宣传资料，堆栈式CMOS是将CMOS分为不同的层，在不同的层中容纳不同的部件。索尼称堆栈式CMOS是下一代CMOS，是BSI CMOS的换代产品。

我们知道，CMOS中主要包含感光元件与电路部件。光电二极管是CMOS上的感光部分，其所占面积越大CMOS的感光能力就越强。电子部件也需要占据一定的面积，它们负责信号的处理与传输，而这会挤占感光部分的面积。传统CMOS设计是将感光部分与电子部分制作在一层上。BSI CMOS将电路与光电二极管分开，使得光电二极管几乎可以占据100%的CMOS面积，以此提高画质。

堆栈式CMOS则更进一步。CMOS制作过程中分别制作一个感光层和一个电子层，然后把它们“黏起来”以形成完整的CMOS，所以称为“堆栈”。与BSI CMOS相比，堆栈式CMOS在设计与制造的时候可以消除两层之间的空间影响，降低设计难度，并且可以容纳更多新功能。索尼为RX100 IV和RX10 II的CMOS都配备了DRAM内存芯片，而这是两台相机性能提升的主要来源：RX100 IV和RX10 II可以不但可以通过存储卡高速记录4K视频，还可以实现惊人的960fps帧率视频拍摄，并且实现1/32000电子快门，这一切恐怕都来源于堆栈式CMOS所带来的技术进步。

除了堆栈式CMOS以外，RX100 IV和RX10 II并没有什么太大的不同。RX100 IV采用了一块新的236万像素EVF显示屏，同时索尼宣称两款相机的自动对焦有所增强。简单来说，关于RX100 IV和RX10 II的升级主要就是CMOS的升级。堆栈式CMOS为我们提供了很多可能。我猜测，以后更多的故事会发生在电子设备与电路布置层面。由此会带来更快的响应速度、更快的运算速度，并且实现很多原本难以实现的功能。当然，今天我们看到的RX100 IV和RX10 II只是一次初期的试水。对于这两款相机来说，堆栈式CMOS主要改变的是数据读取速度，由此提升了视频拍摄功能。如果你的目的是拍摄照片，那么它们和之前的版本并没有什么两样。

与A7R II相似的是，新产品的定价颇高，尤其是RX100 IV的上市指导价达到了950美金。我猜测一方面是堆栈式CMOS的产量尚不高，因此成本就高；另一方面也是索尼在尝试推高产品价格来窥探市场反馈。由于RX100产品线有好几代产品依然在售，所以对4K和慢速视频拍摄没有特殊要求的用户也许暂时无法从堆栈式CMOS这里获得需要的好处，那么购买更便宜的旧产品就变得顺理成章了。